એનર્જી ગેપ (ઉર્જા તફાવત) અને ફોરબિડન ગેપ (નિષિદ્ધ ઉર્જા તફાવત) ની વ્યાખ્યા આપો.

Vedclass pdf generator app on play store
Vedclass iOS app on app store
(N/A) $1$. એનર્જી ગેપ: ઘન પદાર્થમાં વેલેન્સ બેન્ડની ટોચ અને કન્ડક્શન બેન્ડના તળિયા વચ્ચેના ઉર્જાના તફાવતને એનર્જી ગેપ કહેવામાં આવે છે. તે ઇલેક્ટ્રોનને વિદ્યુત વહન માટે વેલેન્સ બેન્ડમાંથી કન્ડક્શન બેન્ડમાં જવા માટે જરૂરી લઘુત્તમ ઉર્જા દર્શાવે છે.
$2$. ફોરબિડન ગેપ: વેલેન્સ બેન્ડ અને કન્ડક્શન બેન્ડ વચ્ચેનો એવો ઉર્જા વિસ્તાર જ્યાં કોઈ પણ ઇલેક્ટ્રોન અવસ્થાઓ અસ્તિત્વ ધરાવતી નથી,તેને ફોરબિડન ગેપ કહેવાય છે. ઇલેક્ટ્રોન આ વિસ્તારમાં કોઈપણ ઉર્જા સ્તર પર રહી શકતા નથી. અવાહકોમાં આ ગેપ મોટો હોય છે,અર્ધવાહકોમાં તે પ્રમાણમાં નાનો હોય છે,અને વાહકોમાં તે હોતો નથી (બેન્ડ એકબીજા પર ઓવરલેપ થાય છે).

Explore More

Similar Questions

એક સેમિકન્ડક્ટરને $T_1 \ K$ થી $T_2 \ K$ સુધી ઠંડું પાડવામાં આવે છે. તેનો અવરોધ:

અર્ધવાહકની કન્ડકશન બૅન્ડમાં રહેલા ઇલેક્ટ્રૉનને ....... કહેવાય છે.

કાર્બન, સિલિકોન અને જર્મેનિયમના પરમાણુઓમાં દરેક પાસે ચાર વેલેન્સ ઇલેક્ટ્રોન હોય છે. તેમના વેલેન્સ અને કન્ડક્શન બેન્ડ વચ્ચેના એનર્જી બેન્ડ ગેપને અનુક્રમે $(E_g)_C$, $(E_g)_{Si}$ અને $(E_g)_{Ge}$ દ્વારા દર્શાવવામાં આવે છે. તેમના કિસ્સામાં નીચેનામાંથી કયો સંબંધ સાચો છે?

અર્ધવાહકની અવરોધકતા $(\rho)$ તાપમાન સાથે બદલાય છે. નીચેનામાંથી કયો આલેખ સાચું વર્તન દર્શાવે છે?

વિધાન : સેમિકન્ડક્ટરની અવરોધકતા તાપમાન સાથે વધે છે.
કારણ : સેમિકન્ડક્ટરના પરમાણુઓ ઊંચા તાપમાને મોટા કંપવિસ્તાર સાથે કંપન કરે છે,જેનાથી તેની અવરોધકતા વધે છે.

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo